按照这个思路，中村进行了尝试。
结果嘛，一次成功！
这种方法的核心，是采用了低温gan缓冲层(500c左右)🖣🔠替代了aln缓冲层。这一基于低温gan缓冲层的“两步法”工艺，成为日后工业界生长gan基led的标准工艺。
当然了，做出这步改良的😰🅃理由🅇，💅🏚🚦也是异常奇怪。中村给出的解释居然是，别人用过的方法，我不用！
这种“二”的说话方式，成永兴也用过！
不就是强词夺理嘛！
谁不会啊！
你有种！
别人对的方法，你也别用！
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第四关，退火工艺。
led从本质上说是一个二极管，二极管的核心结构是半导体-n结。-n结是由n🂍🍝型半导体(内部含有大量自由电子)和型半导体(内部含有大量带🆜🐖正电的自由载流子——空穴)组成的界面。
对gan而言，n型🜁⚴掺杂比较容易实现，但型掺杂却十分困难。在gan中经常使用的型掺杂剂是zn或者n往💭🕇往仍体现高阻特性，这意味着♳🌝型掺杂剂并没有被激活，没有起作用。
这个📉问题曾困惑了科学界很久，最后也是被天野浩解决的。解决方法是用低能电子束辐🏰🝮🎤照方法来获得-gan。
这个方法的发现，天野浩也是耗时很久。他🎜👺🍶从86年起就一🜧直在尝试，直到89年，才突然碰运气得到。
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在这📉个步骤上，中村大侠的“二💅🏚🚦”病再此发作！
他再次推翻了前面科学🏍家的研究成果，改为🎜👺🍶加热🞢🕴！
这也就是所谓退火工艺的由来。